InGaAs APD Modules

Modely: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Famaritana fohy:

Izany dia indium gallium arsenide avalanche photodiode module miaraka amin'ny pre-amplification circuit izay ahafahan'ny signal malemy amin'izao fotoana izao hohamafisina sy hiova ho famantarana malefaka mba hahatratrarana ny fizotry ny fiovam-po amin'ny fanamafisana ny foton-photoelectric-signal.

mahazo quote DOWNLOAD

Parameter ara-teknika

Tags vokatra

Toetoetra

Eo amin'ny sisiny anoloana dia nanazava chip flat
Valiny haingana
High sensitivity ny detector

Applications

Laser range
Laser fifandraisana
Laser fampitandremana

Parameter photoelectric(@Ta=22±3℃）

Item #	sokajy fonosana	Ny savaivony ny fotosensitive ambonin'ny (mm)	Saran'ny valin'ny spectral (nm)	Volavolan'ny tapaka (V)	fandraisana andraikitra M=10 λ=1550nm (kV/W)	Fotoana miakatra （ns）	passante (MHz)	Temperature Coefficient T_a=-40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	Hery mitovy amin'ny tabataba (pW/√Hz)	Concentricity (μm)	Karazana nosoloina any amin'ny firenena hafa
GD6510Y	TO-8	0.2	1000～1700	30～70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B